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  金融界2025年7月28日音讯，国家知识产权局信息数据显现，世界商业机器公司请求一项名为“用于磁阻随机存取存储器器材的反响性串行电阻下降”的专利，公开号CN120380884A，请求日期为2023年11月。

  专利摘要显现，公开了一种磁阻器材(102)，其包含：坐落半导体衬底(104)上的晶体底部电极层(126)；坐落晶体底部电极层上方的晶体金属层(124)；坐落晶体金属层上方的导电氧化物层(122)；以及坐落导电氧化物层上方的磁性地道结(MTJ)结构(108、116、120)。导电氧化物层(122)具有比较来说较低的电阻，可通过退火工艺构成，该退火工艺使沉积在非晶反响资料层(112)上的绝缘氧化物层(114)产生反响。

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